Snapdragon 835 lebih hemat pengisian cepat

Qualcomm memperkenalkan model chipset mobile kelas atas terbaru, Snapdragon 835. Chipset ini bakal tertanam di aneka model smartphone high-end yang meluncur di tahun 2017 mendatang.

Seperti Snapdragon 820 sebelumnya, sebagaimana dirangkum KompasTekno dari Phone Arena, Jumat (18/11/2016), Snapdragon 835 dikembangkan oleh Qualcomm melalui kemitraan dengan Samsung.

 

Snapdragon 835 diproduksi dengan proses fabrikasi 10 nm FinFET besutan Samsung. Proses fabrikasi 10 nm ini menjadi yang pertama dilakukan oleh Qualcomm. Dengan proses fabrikasi rendah, Qualcomm menyebut chipset terbarunya itu memiliki performa lebih tinggi 27 persen dan ukuran fisik lebih kecil 30 persen dibanding Snapdragon 820.

Yang lebih penting, konsumsi daya Snapdragon 835 diklaim Qualcomm 40 persen lebih hemat dari Snapdragon 820 yang dibuat dengan proses fabrikasi 14 nm. Konsumsi daya yang lebih rendah ini dibuat Qualcomm untuk mengatasi kendala boros baterai di ponsel-ponsel high-end.

Qualcomm turut membenamkan teknologi pengisian baterai cepat terbaru, Quick Charge 4.0, yang disebut mampu mengisi daya 20 persen lebih cepat dibandingkan Quick Charge 3.0. Pengisian daya selama 15 menit melalui port USB-C diklaim bisa mengisi kapasitas baterai hingga 50 persen.

Snapdragon 835 dimaksudkan sebagai penerus dua chip high-end terdahulu, Snapdragon 820 dan Snapdragon 821, yang antara lain dipakai di handset berkemampuan Augmented Reality, seperti Lenovo Phab 2 Pro.

Qualcomm memakai arsitekur prosesor baru untuk Snapdragon 835 yang akan dijelaskan lebih rinci dalam ajang CES yang berlangsung Januari 2017. Besar kemungkinan chip ini bakal dipakai oleh produk-produk flagship seperti Samsung Galaxy S8 serta model dari LG, HTC, dan vendor smartphone lainnya.